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科研级分子束外延系统

科研级分子束外延系统

面向2英寸及更大尺寸衬底的MBE系统。配有大容量蒸发源、RHEED、束流规、液氮冷屏和专业控制软件。

科研级分子束外延系统

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SI-LMBE

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产品参数：

•       真空度: 优于1×10-10 Torr

•       2轴样品操纵台，使用SiC或石墨加热器，温度范围100～900℃

•       蒸发源法兰：CF63法兰（8个）

•       配有1个束流规

•       选配RHEED等原位生长表征功能

•       选配衬底退火腔

•       配有真空控制软件及生长控制软件

•       配有快速进样腔室，真空度优于2×10-8 Torr

•       支持功能定制


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•       真空度: 优于1×10-10 Torr

•       2轴样品操纵台，使用SiC或石墨加热器，温度范围100～900℃

•       蒸发源法兰：CF63法兰（8个）

•       配有1个束流规

•       选配RHEED等原位生长表征功能

•       选配衬底退火腔

•       配有真空控制软件及生长控制软件

•       配有快速进样腔室，真空度优于2×10-8 Torr

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面向2英寸及更大尺寸衬底的MBE系统。配有大容量蒸发源、RHEED、束流规、液氮冷屏和专业控制软件。
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